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漂移层(2)由碳化硅构成，具有第1导电型。主体区域(5)在漂移层(2)上设置，具有第2导电型。源区域(3)在主体区域(5)上设置，具有第1导电型。栅绝缘膜(10)设置于将源区域(3)和主体区域(5)贯通的至少一个沟槽(6)的各自的内壁。保护...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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