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本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。发光层设置包括第一复合层与第二复合层。第一复合层中第一GaN垒层轻微阻挡电子，减缓电子迁移速度。厚度较大的第一InGaN阱层提供电子较多的迁移空间并积累电子，减少迁移到第...
该专利属于华灿光电(浙江)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华灿光电(浙江)有限公司授权不得商用。

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