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本发明具体公开了一种基于硅基量子点光子器件单片集成的方法，所述方法利用高质量硅上III‑V族直接外延技术和量子点技术，通过将激光器与其它主动和被动光电器件在CMOS兼容的SOI衬底上进行单片集成，充分发挥了硅基光子学的优势，从而获得包括激光...
该专利属于湖南汇思光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南汇思光电科技有限公司授权不得商用。

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