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一种功率MOSFET器件及其形成方法，所述器件包括：半导体衬底；有源器件层，位于所述半导体衬底的正面；准TSV结构，位于所述半导体衬底内；背面金属层，位于所述半导体衬底的背面，覆盖所述准TSV结构的顶部表面且与所述准TSV结构热耦合。本发明...
该专利属于联合微电子中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过联合微电子中心有限责任公司授权不得商用。

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