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真空中通过步进电机制备石墨烯生长的单晶铜衬底的方法技术
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文档序号:26218216
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本发明公开了真空中通过步进电机制备石墨烯生长的单晶铜衬底的方法,属于二维半导体材料技术领域。本发明中的数控步进电机由变能程序调试控制系统V170419、蓝牙驱动系统、蓝牙串口下载线、驱动控制器、开关电源、步进驱动器、步进电机螺旋传动丝杆滑台...
该专利属于江南大学所有,仅供学习研究参考,未经过江南大学授权不得商用。
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