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本实用新型公开了一种高防护等级单向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有第一N型深阱，第二N型深阱；第二N型深阱右侧设有P阱；第一N型深阱内设有第一P+注入区和第一N+注入区；第二N型深阱内设有第二P+注入区和第二N+注入区；第一N型...
该专利属于湖南静芯微电子技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南静芯微电子技术有限公司授权不得商用。

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