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大电流并联半导体器件制造技术
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下载大电流并联半导体器件的技术资料
文档序号:26209904
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本实用新型公开一种大电流并联半导体器件,其2个二极管芯片位于金属基座正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层与金属基座的2个支撑部电连接,位于金属基座下端的第一引脚部从环氧封装层内延伸出;所述引线架进一步包括横金属板和分别位于横金属板两端的...
该专利属于苏州达晶微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州达晶微电子有限公司授权不得商用。
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