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本发明提供了一种硅基量子点光子晶体激光器及加工方法，该激光器结构包括依次层叠的：硅衬底层、缺陷抑制层、牺牲层、发光层和盖层。缺陷抑制层处在硅衬底层上，包括交替层叠的第一量子点层和三五族缓冲层，与硅衬底层接触的为第一量子点层，与牺牲层接触的为...
该专利属于香港中文大学(深圳)所有，仅供学习研究参考，未经过香港中文大学(深圳)授权不得商用。

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