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本发明公开了一种基于硅衬底支柱结构提高电容量的深沟槽电容及其制备方法，涉及半导体技术领域，在所述衬底结构中心区域形成有多个支柱结构，所述支柱结构之间、支柱结构与衬底侧壁之间外表面之间形成深沟槽。本发明在现有硅基衬底上形成多个支柱型结构，支柱...
该专利属于上海佑磁信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海佑磁信息科技有限公司授权不得商用。

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