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本发明提供一种基于自旋轨道矩的存储单元，包括：合成的自旋轨道矩效应层和两个磁性隧道结，其中，合成的自旋轨道矩效应层包括第一自旋轨道矩效应层和第二自旋轨道矩效应层，第二自旋轨道矩效应层位于第一自旋轨道矩效应层上方，且第二自旋轨道矩效应层包括不...
该专利属于浙江驰拓科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江驰拓科技有限公司授权不得商用。

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