温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法，它包括漏极金属、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、沟槽、栅氧层、栅极导电多晶硅、绝缘介质层、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型阱区与源极金属。本发明结构由于采用...
该专利属于无锡新洁能股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。