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本发明提供一种垂直集成单元发光二极管，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极之上的二极管台面结构，二极管台面结构包括n个二极管单元和沟槽结构，其中，n≥2；沟槽结构位于二极管单元之间。二极管台面结构还包括第一导...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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