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本发明提供一种三维电容器结构及其制作方法，结构包括：导电基底；叠层结构，包括交替层叠的导电层及空腔层，叠层结构内具有沟槽，沟槽将叠层结构隔离成多个鳍形叠层单元；导电支撑柱，穿过鳍形叠层单元，连接导电层及导电基底；电容介质层，形成于导电层表面...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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