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一种具有内部限位环的硅通孔互连结构及其形成方法，所述硅通孔互连结构包括：衬底，所述衬底上开设有至少一个通孔；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述衬底的上端面和下端面上；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述通孔的内壁上；种子层，所述种子层设置...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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