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本发明公开了一种互连结构的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一衬底，所述衬底上形成有后道互连层；步骤S02：在所述衬底上形成介质层，将所述后道互连层覆盖；步骤S03：在所述介质层上形成底部连接所述后道互连层表面的通孔；步骤S04：通过...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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