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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有伪栅结构，伪栅结构两侧的基底内形成有源漏掺杂层；在伪栅结构露出的基底上形成第一介质层，第一介质层露出伪栅结构的部分侧壁；至少在第一介质层所露出的伪栅结构侧壁上形成自对准停止层；...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。