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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有底部介质层以及位于底部介质层内的互连线，底部介质层露出互连线的顶部；刻蚀部分厚度的底部介质层，沿互连线的延伸方向，相邻互连线与剩余底部介质层围成凹槽；至少在凹槽中形成刻蚀停止层...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。