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本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。本发明实施例中，通过在金属硅化物层的上方形成第一介质层，并在第一介质层形成后，沉积第二介质层，以在所述第一堆叠结构之间形成空气隙，由于晶体生长的特性，第二介质层更倾向于先在第一介质层上成核、生长。...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。