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本发明公开了一种自对准四重图形的制作方法，针对侧墙刻蚀过程，先对侧墙进行选择性离子注入，再利用无偏压功率的化学干法刻蚀进行各向同性的侧墙层刻蚀，去除注入离子的侧墙层；在刻蚀侧墙过程中，由于没有偏压功率，不存在离子轰击，故对衬底材料不存在刻蚀...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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