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本发明公开了一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺，涉及芯片技术领域，具体为一种低压低漏流高效保护芯片制造工艺，包括以下步骤：S1、扩散前处理；S2、氧化；S3、光刻；S4、双面开管磷沉积；S5、开管扩磷；S6、蚀刻沟槽；S7、电泳钝化；S8、...
该专利属于江苏晟驰微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏晟驰微电子有限公司授权不得商用。

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