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本申请公开了一种光刻返工方法及灰化设备，包括：将晶圆放置于灰化设备的载片台的突起结构上，灰化设备上设置有至少三个所述突起结构；对晶圆上的光阻进行灰化处理，灰化处理的温度大于250摄氏度；对灰化处理后的光阻进行湿法剥离处理。本申请通过在对晶圆...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

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