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本发明提供一种化学成分梯度分布的应力薄膜的形成方法、半导体器件及其形成方法，所述方法至少包含以下步骤：在半导体衬底上形成晶体管；以及在所述半导体衬底上形成应力薄膜层；其中，在形成所述应力薄膜层的过程中调节生长氛围气体中O、N和H的含量使得最...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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