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本发明公开了一种提高砷化镓光电阴极发射性能的激活方法，包括步骤1在超高真空系统中对具有原子级清洁表面的GaAs光电阴极进行高温加热；2超高真空系统温度降至室温后开启铯源量子效率逐渐增长直至到达首个铯峰；保持铯源开启当量子效率保持稳定或下降至...
该专利属于南京工程学院所有，仅供学习研究参考，未经过南京工程学院授权不得商用。

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