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本发明公开了一种压接式绝缘栅双极型晶体管高温反偏老化时间折算方法，通过计算压接式IGBT器件终端区钝化层拉应力造成的材料微元中的机械能，进而得到为获得IGBT器件同样老化程度，在不同温度、机械压力下必须持续的老化时间之间的比例系数，从而实现...
该专利属于华北电力大学所有，仅供学习研究参考，未经过华北电力大学授权不得商用。

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