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本发明提供了一种增强光刻图形分辨率的方法，其包括在衬底上依次形成第一胶层和第二胶层；通过光刻曝光工艺在所述第一胶层上形成曝光区和非曝光区；采用第一溶剂去除所述曝光区和所述第二胶层的部分区域，或者先采用第二溶剂去除所述曝光区，再采用第三溶剂去...
该专利属于儒芯微电子材料(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过儒芯微电子材料(上海)有限公司授权不得商用。

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