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基于氮化硅低损耗波导的四通道光输入多工器芯片结构制造技术
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下载基于氮化硅低损耗波导的四通道光输入多工器芯片结构的技术资料
文档序号:26168908
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本发明公开了一种基于氮化硅低损耗波导的四通道光输入多工器芯片结构,包括第一2×2光耦合器、第一长波导、第二2×2光耦合器、第三2×2光耦合器、第二长波导、第一微环谐振器、第二微环谐振器、第三微环谐振器、第四2×2光耦合器、第五2×2光耦合器...
该专利属于西安空间无线电技术研究所所有,仅供学习研究参考,未经过西安空间无线电技术研究所授权不得商用。
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