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本发明提供了一种制备二氧化钒基单晶体的方法，所述方法包括：在流动惰性气体气氛中，将包含钒源的原料加热至950℃至1150℃之间的温度，并保持24小时至72小时，随后以不高于20℃/分钟的速度降温至室温，以得到二氧化钒基单晶体，其中，所述钒源...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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