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本发明公开了一种原位控制法制备过渡金属硫属化物平面异质结的方法，属于二维半导体材料技术领域。本发明利用目前公认的最有效生长的化学气相沉积法制备过渡金属硫属化物平面异质结，相比现有的两步法生长，本发明使用钼酸铵((NH...
该专利属于江南大学所有，仅供学习研究参考，未经过江南大学授权不得商用。

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