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本发明提供一种降低接触电阻的LED外延结构，包括基板及依次层叠设置在基板上的低温GaN缓冲层、不掺杂Si的GaN层、掺杂Si的GaN层、发光层、掺杂Mg的Al型GaN层、掺杂Mg的GaN层、接触层以及ITO层，在ITO层上设置P电极，在掺杂...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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