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本发明提供一种尼龙1/聚偏二氟乙烯复合介电薄膜及其制备方法，涉及复合材料技术领域。其组成以重量百分比计：聚偏二氟乙烯80‑99％，尼龙1为1‑20％。本发明进一步提供尼龙1/聚偏二氟乙烯复合介电薄膜的制备方法，将聚偏二氟乙烯和尼龙1混合，在...
该专利属于都江堰市天兴硅业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过都江堰市天兴硅业有限责任公司授权不得商用。

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