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本发明属于小分子给体材料技术领域，具体公开了一种含卤素修饰核心基的共轭小分子半导体材料及其制备与应用。所述小分子半导体材料包含卤代二维噻吩并噻吩核心、桥联单元和己基噻吩端基，其制备方法特点在于循环使用有机锡试剂反应和Still偶联得到目标分...该专利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院重庆绿色智能技术研究院;重庆大学授权不得商用。