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本发明公开了一种层状双氢氧化物纳米片‑硫化铜量子点异质纳米复合体的制备方法，采用原位生长法，将硫化铜量子点生长于层状双氢氧化物纳米片上，利用聚合物限域作用，CuS独立地散步于LDH上而不发生团聚。本发明制得的层状双氢氧化物纳米片‑硫化铜量子...
该专利属于华侨大学所有，仅供学习研究参考，未经过华侨大学授权不得商用。

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