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本发明涉及场效应晶体管的金属栅极及方法，揭示一种场效应晶体管(FET)的金属栅极(如替换金属栅极(RMG))及形成金属栅极的方法。该方法包括沉积共形介电层以衬于栅极开口，及执行一系列非群集和群集的共形金属沉积和倒角工艺以选择性调整栅极开口内...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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