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本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该结构包含：衬底、栅极电极、第一介电层、栅极金属层、源极结构、以及漏极结构。第一介电层具有露出栅极电极的第一开口及第二开口，并且第二开口的深度大于第一开口的深度。栅极金属层顺应覆盖第一介电层的顶面、第...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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