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本发明公开了一种半导体激光器的制作方法，该制作方法包括：在衬底上依序层叠形成第一光限制层和有源层；在有源层上形成厚度小于限光最低厚度的第二光限制层，其中，限光最低厚度指的是能够对光进行限制的光限制层的最低厚度；在第二光限制层上形成由透明导电...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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