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本发明公开了一种垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，包括以下步骤：选取晶圆，在所述晶圆上刻蚀出若干圆台；在每个所述圆台周围刻蚀出沟道，所述沟道的宽深比为0.05‑0.5。本发明在刻蚀时选择0.05‑0.5的宽深比，可以有效的减弱刻蚀机腔体内的...该专利属于江西铭德半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西铭德半导体科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种垂直腔面发射激光器芯片的刻蚀方法，包括以下步骤：选取晶圆，在所述晶圆上刻蚀出若干圆台；在每个所述圆台周围刻蚀出沟道，所述沟道的宽深比为0.05‑0.5。本发明在刻蚀时选择0.05‑0.5的宽深比，可以有效的减弱刻蚀机腔体内的...