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本发明属于半导体芯片技术领域，具体涉及一种穿通结构可控硅芯片的生产方法，包括如下步骤：(1)将硅片氧化处理；(2)将硅片进行光刻，腐蚀成线条，形成穿通环；(3)穿通环的硅片置于化学腐蚀液中腐蚀出沟槽；(4)利用自动涂源台涂布；(5)将涂有硼...
该专利属于济宁东方芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济宁东方芯电子科技有限公司授权不得商用。

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