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本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种改善可控硅KG特性的方法，包括如下步骤：将硅片装于合金舟上用石英钩缓慢将合金舟推入炉管内恒温区，通入氮气和三氯氧磷，保温处理后将合金舟拉出即可。本发明在可控硅铝合金时表面掺入微量的磷，特别是KG交界处氧...
该专利属于济宁东方芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济宁东方芯电子科技有限公司授权不得商用。

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