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用于半导体器件重离子潜径迹损伤分析的方法和装置制造方法及图纸
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下载用于半导体器件重离子潜径迹损伤分析的方法和装置的技术资料
文档序号:26032473
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本申请公开了一种用于半导体器件重离子潜径迹损伤的分析方法,包括:确定所述半导体器件的基本结构;根据所述半导体器件的基本结构建立其器件模型;确定所述半导体器件模型中每层材料的种类和厚度参数,以及每层材料中入射粒子的类型和能量参数;定义所述半导...
该专利属于湘潭大学所有,仅供学习研究参考,未经过湘潭大学授权不得商用。
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