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一种在半导体衬底构件(101)上实现的功率变换器，诸如DC‑DC变换器或功率放大器，该功率变换器包括：第一区域(102)，该第一区域具有无源电气部件(104)，该无源电气部件具有沉积在半导体衬底构件的相应侧(107、108)上的导电材料的第...
该专利属于丹麦技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过丹麦技术大学授权不得商用。

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