温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种测试应变硅锗薄膜材料杂质浓度的方法。该方法的关键是通过理论分析和模拟，创建Ｎ型和Ｐ型Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］材料电阻率ρ与杂质浓度Ｎ↓［Ｄ］或Ｎ↓［Ａ］及Ｇｅ组分ｘ的关系曲线，进而用四探针法测试应变Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。