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一种GaN基窄带发射共振腔发光二极管及其制作方法，涉及半导体发光器件领域。包括第一反射器、顶部金属电极、第一腔、发光有源区、第二腔、第二反射器、导电衬底；第一反射器为法布里‑珀罗滤波器结构的反射器，包含n对高‑低介质膜层和n对低‑高介质膜层...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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