温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开一种功率半导体器件及其形成方法，所述功率半导体器件的形成方法包括：提供第一类型掺杂的衬底；在所述衬底表面形成具有第一开口的第一图形化掩膜层；沿所述第一开口对所述衬底进行第一离子注入及扩散处理，形成第二类型掺杂的体区；在所述第一开口...
该专利属于嘉兴奥罗拉电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过嘉兴奥罗拉电子科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。