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本发明提供一种半导体器件形成方法及版图结构，通过使接触结构的侧壁与覆盖侧墙层的阻挡层存在间隔，可以避免所述接触结构与阻挡层中的空隙接触，由此可以使所述接触结构远离所述阻挡层中的空隙，从而能够解决接触结构的形貌缺陷问题，并可以进一步解决因接触...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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