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本实用新型涉及一种用于合成半导体多晶材料的反应管装置,包括均为水平设置的石墨管和热解氮化硼材料管,热解氮化硼材料管的外径接近石墨管的内径,热解氮化硼材料管位于石墨管内,且热解氮化硼材料管的底部外管壁与石墨管的底部内管壁相接触。石墨管的顶部管...该专利属于北京国晶辉红外光学科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京国晶辉红外光学科技有限公司授权不得商用。
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本实用新型涉及一种用于合成半导体多晶材料的反应管装置,包括均为水平设置的石墨管和热解氮化硼材料管,热解氮化硼材料管的外径接近石墨管的内径,热解氮化硼材料管位于石墨管内,且热解氮化硼材料管的底部外管壁与石墨管的底部内管壁相接触。石墨管的顶部管...