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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供第一基底，所述第一基底包括若干相互分立的第一芯片区；在每个第一芯片区内形成第一可剥离结构，所述第一可剥离结构包括第一占位层、以及位于所述第一占位层和第一基底之间的第一可剥离膜；在所述第一可剥离结...
该专利属于芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院所有，仅供学习研究参考，未经过芯盟科技有限公司;浙江清华长三角研究院授权不得商用。

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