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本发明公布了一种预测离子注入中的离子分布的方法，包括以下步骤：初始化离子、靶原子材料，并输入和分裂、散射相关的数据文件；在离子的运动过程中，使能量高于离子分裂能量Ｅ↓［ｓ］的离子分裂成两个虚离子；重复上述离子分裂的步骤，计算体系中所有虚离子...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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