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本实用新型提供了一种提高外量子效率的LED芯片。包括DBR层、衬底、缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层、N型电极和P型电极，N型电极和P型电极均为铝基反射电极，P型电极的铝金属层直接与透明导电层接触，用以提升反射电极与半...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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