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本申请提供了一种选择性发射极的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:在硅基底的表面形成掺杂层;在掺杂层的表面形成掩膜;选择性地去除部分掩膜,以暴露出部分掺杂层,形成非掩膜保护区域和掩膜保护区域;对包括掩膜的掺杂层进行高温氧化处理,以使非掩膜保...该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科绿能(上海)管理有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江晶科能源有限公司;晶科绿能(上海)管理有限公司授权不得商用。