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本发明公开了一种薄膜铌酸锂基集成芯片及制备方法，其衬底材料为硅基薄膜铌酸锂，波导为铌酸锂脊形波导，其结构包括输入输出端口、马赫曾德尔电光强度调制器、耦合双环谐振器，马赫曾德尔调制器包含2个1×2多模干涉耦合器、两个调制臂和一个GSG电极，耦...该专利属于南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司授权不得商用。